1700V 1000mΩ SiC MOSFET Penyongsang Suria

Tempat Asal:	Zhejiang
Nama Brand:	Inventchip Technology
Nombor Model:	IV2Q171R0D7Z
Penyeliaan:	AEC-Q101 diperolehi kelayakan

Ciri-ciri

• teknologi SiC MOSFET Generasi Kedua dengan pendorong gete +15~+18V

• Voltan blokkan tinggi dengan rintangan hidup rendah

• Penukaran laju tinggi dengan kapasitance rendah

• kemampuan suhu persimpangan operasi 175℃

• Diode badan intrinsik yang sangat pantas dan kukuh

• Masukan gerbang Kelvin memudahkan reka cipta litar pemandu

• AEC-Q101 diperolehi kelayakan

Aplikasi

• Inverter suria

• Pasukan kuasa bantuan

• Sistem Kuasa Mod Pengalihan

• Meter pintar

Garis Besar:

 

Rajah Penandaan:

Penarafan Maksimum mutlak (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	Nilai	Unit	Keadaan Ujian	Nota
VDS	Voltan Drain-Sumber	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Sekejap)	Voltan puncak maksimum	-10 hingga 23	V	Siklus tugas <1%, dan lebar pulsa<200ns
VGSon	Voltan penyalaan yang disyorkan	15 hingga 18	V
VGSoff	Voltan pematian yang disyorkan	-5 hingga -2	V	Nilai tipikal -3.5V
Id	Arus penguras (terus-menerus)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Raj. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Arus penjinak (tertumpu)	15.7	A	Lebar pulsa had terhadap SOA dan Rθ(J-C) dinamik	Raj. 25, 26
ISM	Arus diod badan (tertumpu)	15.7	A	Lebar pulsa had terhadap SOA dan Rθ(J-C) dinamik	Raj. 25, 26
Ptot	Jumlah pembebasan kuasa	73	W	TC =25°C	Raj. 24
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 175	°C
Tj	Suhu persimpangan operasi	-55 hingga 175	°C

Data haba

Simbol	Parameter	Nilai	Unit	Nota
Rθ(J-C)	Hambatan Tepi dari Junction ke Kes	2.05	°C/W	Rajah. 25

Ciri-ciri Elektrik (TC =25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Keadaan Ujian	Nota
		Min.	- TIP.	Max.
IDSS	Arus pengurasan voltan sifar gerbang		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Pasaran kebocoran pintu			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Voltan ambang pintu	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Rajah 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
Ron	Hambatan statik sumber-pengimbas pada		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Rajah 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Kapasiti input		285		pF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Rajah 16
Coss	Kapacitans Output		15.3		pF
Crss	Kapasiti pemindahan terbalik		2.2		pF
Eoss	Tenaga ter simpan Coss		11		μJ		Rajah 17
Qg	Cas gate jumlah		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 hingga 18V	Rajah 18
Qgs	Cas gate-source		2.7		nC
Qgd	Cas gate-drain		12.5		nC
Rg	Tahanan input gate		13		ω	f=1MHz
EON	Tenaga Pertukaran Hidup		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V hingga 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Rajah 19, 20
EOFF	Tenaga Pertukaran Mati		17.0		μJ
td ((on)	Masa kelewatan penyambutan		4.8		n
tr	Masa naik		13.2
td ((off)	Masa kelewatan penutupan		12.0
tF	Waktu kejatuhan		66.8
EON	Tenaga Pertukaran Hidup		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V hingga 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Rajah 22

Ciri-ciri Diod Terbalik (TC =25。C melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Keadaan Ujian	Nota
		Min.	- TIP.	Max.
VSD	Voltan dioda ke hadapan		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Rajah 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
Ialah	Arus hadapan diod (terus)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Masa Pemulihan Balik		20.6		n	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Cas Charge Pemulihan Balik		54.2		nC
IRRM	Arus pulih terbalik puncak		8.2		A

Penjanaan Tipikal (lengkung)

 

Dimensi Pakej

Nota:

1. Rujukan Pakej: JEDEC TO263, Variasi AD

2. Semua Dimensi dalam mm

3. Tunduk kepada Perubahan Tanpa Notis