1700V 1000mΩ SiC MOSFET Solinvertere

Hjemmeland:	Zhejiang
Merkenavn:	Inventchip Technology
Modellnummer:	IV2Q171R0D7Z
Sertifisering:	AEC-Q101 godkjent

Egenskaper

• 2. generasjons SiC MOSFET-teknologi med +15~+18V gategenerator

• Høy blokkeringsspenning med lav påstand

• Høy hastighetsbytting med lav kapasitans

• 175℃ driftstemperaturkapasitet

• Ultra rask og robust innbygd diode

• Kelvin-gate-ingang som enkler driver-kretsdesign

• AEC-Q101 godkjent

Applikasjoner

• Solkraftinvertere

• Hjelpekraftforsyninger

• Switch Mode Strømforsyninger

• Smartmålere

Omriss:

 

Merketegningsskjema:

Absolutte maksimale verdier (Tc=25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Testbetingelser	Merk
VDS	Spenningsforskjell mellom drain og kilde	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Midlertidig)	Maksimal spissespenning	-10 til 23	V	Lastgrad <1%, og pulsbredd <200ns
VGSon	Anbefalt skru-på spenning	15 til 18	V
VGSoff	Anbefalt skru-av spenning	-5 til -2	V	Typisk verdi -3.5V
ID	Avledningsstrøm (kontinuerlig)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Avledningsstrøm (pulsert)	15.7	A	Pulsbredde begrenset av SOA og dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Strøm i kroppsdioden (pulsert)	15.7	A	Pulsbredde begrenset av SOA og dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
Ptot	Total effektdissipasjon	73	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Lagertemperaturområde	-55 til 175	°C
Tj	Driftende kobletemperatur	-55 til 175	°C

Termisk data

Symbol	Parameter	Verdi	Enhet	Merk
Rθ(J-C)	Termisk motstand fra forbindelse til husking	2.05	°C/W	Fig. 25

Elektriske eigenskapar (TC =25°C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merk
		Min.	Typ.	Maks.
IDSS	Nullegate-spenning drainstrøm		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Gateteknisk strøm			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Gateskleringsvoltasje	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Fig. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
Ron	Statisk drain-kilde på-motstand		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Inngangskapasitet		285		pF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Utgangskapasitet		15.3		pF
Crss	Omvendt overføringskapasitans		2.2		pF
Eoss	Coss lagret energi		11		μJ		Fig. 17
Qg	Total spesifikasjon av gate-ladning		16.5		nC:	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 til 18V	Fig. 18
Qgs	Gate-kilde ladning		2.7		nC:
Qgd	Gate-drain ladning		12.5		nC:
Rg	Gate inndata motstand		13		ω	f=1MHz
EON	Slå-på skifteenergi		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3,5V til 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Slukkingsenergi for skifting		17.0		μJ
td(on)	Forsinkelsestid ved tænding		4.8		nS
tR	Stigningstid		13.2
td(off)	Forsinkelsestid ved slukking		12.0
tF	Falltid		66.8
EON	Slå-på skifteenergi		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V til 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22

Omvendt diodekarakteristikk (TC =25。C med mindre annet er spesifisert)

Symbol	Parameter	Verdi			Enhet	Testbetingelser	Merk
		Min.	Typ.	Maks.
VSD	Diode fremover spenning		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
IS	Diode fremover strøm (kontinuerlig)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Omvendt gjenopptakstid		20.6		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Gjenopprettingsladning i motsatt retning		54.2		nC:
IRRM	Maksimal gjenopprettingsstrøm i motsatt retning		8.2		A

Typisk ytelse (kurver)

 

Pakke dimensjoner

Merk:

1. Pakke Referanse: JEDEC TO263, Variasjon AD

2. Alle dimensjoner er i mm

3. Underkast seg endringer uten varsel