IV1B12013HA1L – 1200В 13мОм SiC МОДУЛЬ Солнечная энергия

Страна происхождения:	Чжэцзян
Торговая марка:	Inventchip Technology
Номер модели:	IV1B12013HA1L
Сертификация:	AEC-Q101

Особенности

• Высокое блокирующее напряжение при низком сопротивлении включения

• Высокоскоростной переключающий с низкой ёмкостью

• Высокая способность работы при высокой температуре соединения

• Очень быстрый и надежный внутренний диод

Области применения

• Применение солнечной энергии

• Система ИБП

• Водители

• Конвертеры высокого напряжения DC/DC

Упаковка

Схема маркировки

Абсолютные максимальные рейтинги (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение	Единица	Условия испытаний	Заметка
VDS	Напряжение между стоком и истоком	1200	V
VGSmax (DC)	Максимальное напряжение постоянного тока	-5 до 22	V	Статический (DC)
VGSmax (Импульс)	Максимальное напряжение импульса	-10 до 25	V	<1% цикл нагрузки, и ширина импульса <200нс
VGSon	Рекомендуемое напряжение включения	20±0.5	V
VGSoff	Рекомендуемое напряжение отключения	-3.5 до -2	V
ID	Ток стока (непрерывный)	96	А	VGS =20В, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	А	VGS =20В, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Ток стока (импульсный)	204	А	Ширина импульса ограничена SOA	Рис. 26
Ptot	Общая рассеиваемость мощности	210	Ш	Tvj≤150℃	Рис.24
ТСТГ	Диапазон температур хранения	-40 до 150	°C
Tj	Максимальная виртуальная температура перехода при переключении	-40 до 150	°C	Операция
		-55 до 175	°C	Прерывистая с уменьшенным сроком службы

Тепловые данные

Символ	Параметр	Значение	Единица	Заметка
Rθ(J-H)	Тепловое сопротивление от соединения к радиатору	0.596	°C/W	Рис.25

Электрические характеристики (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение			Единица	Условия испытаний	Заметка
		Мин.	Тип.	Макс.
IDSS	Ток стока при нулевом напряжении затвора		10	200	μA	VDS =1200В, VGS =0В
IGSS	Ток утечки затвора			±200	нД	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Напряжение порога затвора	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24мА	Фиг.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24мА @ TC =150。C
Железо	Статическое сопротивление канала в режиме включения		12.5	16.3	мОм	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Рис.4-7
			18		мОм	VGS =20В, ID =80А при TJ =150.С
Цисс	Входной пропускной способностью		11		нФ	VDS=800В, VGS =0В, f=100кГц, VAC =25мВ	Рис.16
Косс	Выходной объем		507		pF
Крсс	Капацитет обратной передачи		31		pF
Еосс	Энергия, запасаемая в Косс		203		мкДж		Рис.17
Главный офис	Общий заряд затвора		480		nC	VDS =800В, ID =80А, VGS =-5 до 20В	Рис.18
Qgs	Заряд между затвором и истоком		100		nC
Qgd	Заряд между затвором и стоком		192		nC
Rg	Входное сопротивление затвора		1.0		ω	f=100кГц
EON	Включение переменной энергии		783		мкДж	VDS =600В, ID =60А, VGS=-5 до 20В, RG(ext)вкл/ RG(ext)выкл =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Рис.19-22
EOFF	Выключение переменной энергии		182		мкДж
td(on)	Время задержки включения		30		nS
tr	Время нарастания		5.9
td(off)	Время задержки выключения		37
tF	Время спада		21
LsCE	Индуктивность отклоняющейся		7.6		nH

Характеристики обратного диода (TC=25°C если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение			Единица	Условия испытаний	Заметка
		Мин.	Тип.	Макс.
VSD	Прямое напряжение диода		4.9		V	ISD =80A, VGS =0В	Рис.10-12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0В, TJ =150°C
trr	Время восстановления		17.4		nS	VGS =-5В/+20В, ISD =60A, VR =600В, di/dt=13.28A/нс, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Сбор за возврат средств		1095		nC
IRRM	Пиковый обратный восстановительный ток		114		А

Характеристики термистора NTC

Символ	Параметр	Значение			Единица	Условия испытаний	Заметка
		Мин.	Тип.	Макс.
RNTC	Номинальное сопротивление		5		кΩ	TNTC = 25℃	Рис. 27
δR/R	Погрешность сопротивления при 25℃	-5		5	%
β25/50	Значение бета		3380		К	±1%
Pmax	Диссипация мощности		5		мВт

Типичная производительность (кривые)

         

Габаритные размеры упаковки (мм)