IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODUL Slnečná

Miesto pôvodu:	Zhejiang
Názov značky:	Inventchip Technology
Číslo modelu:	IV1B12013HA1L
Certifikácia:	AEC-Q101

Vlastnosti

• Vysoké blokovacie napätie s nízkym odporom pri vedení

• Rýchle preklápajúce sa s nízkou kapacitou

• Vysoká schopnosť prevádzky pri spojovacej teplote

• Veľmi rýchla a robustná vlastná vnútorná dióda

Aplikácie

• Solárne aplikácie

• Systém neprerušiteľného zdroja energie (UPS)

• Motorové ovládače

• Vysokonapätové konvertory DC/DC

Balenie

Označovací diagram

Absolútne maximálne hodnoty (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor	Parameter	Hodnota	Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
VDS	Napätie medzi odberárom a zdrojom	1200	V
VGSmax (DC)	Maximálne DC napätie	-5 do 22	V	Statické (DC)
VGSmax (Výpěnka)	Maximálna bodová napätie	-10 do 25	V	<1% časová zložka, a šírka impulzu <200ns
VGSon	Odporúčané napätie zapnutia	20±0.5	V
VGSoff	Odporúčané napätie vypnutia	-3.5 do -2	V
Identifikácia	Prúd drainu (neustály)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Prúd drainu (impulzívny)	204	A	Šírka impulzu obmedzená SOA	Obr.26
PTOT	Celkové spotrebované výkon	210	W	Tvj≤150℃	Obr.24
Tstg	Rozsah teploty skladovania	-40 do 150	°C
TJ	Maximálna virtuálna teplota spojov pri prechodových podmienkach	-40 do 150	°C	Operácia
		-55 do 175	°C	Intermitentne s redukovanej životnosťou

Teplotné údaje

Súbor	Parameter	Hodnota	Jednotka	Poznámka
Rθ(J-H)	Termická odpornosť od spojenia ku chladnici	0.596	°C/W	Obr.25

Elektrické charakteristiky (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor	Parameter	Hodnota			Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
		Min.	Typ.	Max, čo sa deje?
IDSS	Drenážny prúd pri nulovej gatovej napäťe		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Utečový prúd brány			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Prahové napätie brány	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Obr.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150. C
Hrabe	Statický odpor medzi drainom a zdrojom v stave zapnutia		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25. C	Obr.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150. C
Ciss	Vstupná kapacita		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Obr.16
Coss	Výstupná kapacita		507		pF
Crss	Kapacita opačného prenosu		31		pF
Eoss	Uložená energia Coss		203		μJ		Obr.17
Qg	Celkový vratný náboj		480		nC	VDS = 800V, ID = 80A, VGS = -5 až 20V	Obr. 18
Qgs	Náboj medzi bránou a zdrojom		100		nC
Qgd	Náboj medzi bránou a drenom		192		nC
Rg	Vstupný odpor brány		1.0		ω	f=100kHZ
EON	Energetické prepnutie pri zapnutí		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 až 20V, RG(ext)na/ RG(ext)vyp =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Obraz.19-22
EOFF	Energetické prepnutie pri vypnutí		182		μJ
td(zač)	Čas oneskorenia pri zapnutí		30		nS
tR	Čas nárastu		5.9
td(vyp)	Čas oneskorenia pri vypnutí		37
tF	Čas pádu		21
LsCE	Nehodnotená indukcia		7.6		nH

Vlastnosti reverzného diódy (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor	Parameter	Hodnota			Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
		Min.	Typ.	Max, čo sa deje?
VSD	Predná diódová elektrická súčasť		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Obr.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Čas opačného obnovenia		17.4		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Náboj opačného obnovenia		1095		nC
IRRM	Maximálny vrcholný prúd opačného obnovenia		114		A

Charakteristiky NTC termistoru

Súbor	Parameter	Hodnota			Jednotka	Podmienky testovania	Poznámka
		Min.	Typ.	Max, čo sa deje?
RNTC	Nominálny odpor		5		kΩ	TNTC =25℃	Obr.27
δR/R	Tolerancia odporu pri 25℃	-5		5	%
β25/50	Beta hodnota		3380		K	±1%
Pmax	Spotreba energie		5		mW

Typické vlastnosti (krivky)

         

Rozmery obalu (mm)