Všetky kategórie
Kontaktujte nás
SiC Modul

Domovská stránka /  Produkty /  Komponenty /  SiC Modul

SiC Modul

IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODUL Slnečná

Úvod

Miesto pôvodu: Zhejiang
Názov značky: Inventchip Technology
Číslo modelu: IV1B12013HA1L
Certifikácia: AEC-Q101


Vlastnosti

  • Vysoké blokovacie napätie s nízkym odporom pri vedení

  • Rýchle preklápajúce sa s nízkou kapacitou

  • Vysoká schopnosť prevádzky pri spojovacej teplote

  • Veľmi rýchla a robustná vlastná vnútorná dióda


Aplikácie

  • Solárne aplikácie

  • Systém neprerušiteľného zdroja energie (UPS)

  • Motorové ovládače

  • Vysokonapätové konvertory DC/DC


Balenie

image


Označovací diagram

image


Absolútne maximálne hodnoty (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)


Súbor Parameter Hodnota Jednotka Podmienky testovania Poznámka
VDS Napätie medzi odberárom a zdrojom 1200 V
VGSmax (DC) Maximálne DC napätie -5 do 22 V Statické (DC)
VGSmax (Výpěnka) Maximálna bodová napätie -10 do 25 V <1% časová zložka, a šírka impulzu <200ns
VGSon Odporúčané napätie zapnutia 20±0.5 V
VGSoff Odporúčané napätie vypnutia -3.5 do -2 V
Identifikácia Prúd drainu (neustály) 96 A VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
102 A VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM Prúd drainu (impulzívny) 204 A Šírka impulzu obmedzená SOA Obr.26
PTOT Celkové spotrebované výkon 210 W Tvj≤150℃ Obr.24
Tstg Rozsah teploty skladovania -40 do 150 °C
TJ Maximálna virtuálna teplota spojov pri prechodových podmienkach -40 do 150 °C Operácia
-55 do 175 °C Intermitentne s redukovanej životnosťou


Teplotné údaje

Súbor Parameter Hodnota Jednotka Poznámka
Rθ(J-H) Termická odpornosť od spojenia ku chladnici 0.596 °C/W Obr.25


Elektrické charakteristiky (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor Parameter Hodnota Jednotka Podmienky testovania Poznámka
Min. Typ. Max, čo sa deje?
IDSS Drenážny prúd pri nulovej gatovej napäťe 10 200 μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Utečový prúd brány ±200 nA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Prahové napätie brány 1.8 3.2 5 V VGS=VDS , ID =24mA Obr.9
2.3 VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150. C
Hrabe Statický odpor medzi drainom a zdrojom v stave zapnutia 12.5 16.3 VGS =20V, ID =80A @TJ =25. C Obr.4-7
18 VGS =20V, ID =80A @TJ =150. C
Ciss Vstupná kapacita 11 nF VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV Obr.16
Coss Výstupná kapacita 507 pF
Crss Kapacita opačného prenosu 31 pF
Eoss Uložená energia Coss 203 μJ Obr.17
Qg Celkový vratný náboj 480 nC VDS = 800V, ID = 80A, VGS = -5 až 20V Obr. 18
Qgs Náboj medzi bránou a zdrojom 100 nC
Qgd Náboj medzi bránou a drenom 192 nC
Rg Vstupný odpor brány 1.0 ω f=100kHZ
EON Energetické prepnutie pri zapnutí 783 μJ VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 až 20V, RG(ext)na/ RG(ext)vyp =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Obraz.19-22
EOFF Energetické prepnutie pri vypnutí 182 μJ
td(zač) Čas oneskorenia pri zapnutí 30 nS
tR Čas nárastu 5.9
td(vyp) Čas oneskorenia pri vypnutí 37
tF Čas pádu 21
LsCE Nehodnotená indukcia 7.6 nH


Vlastnosti reverzného diódy (TC=25°C pokiaľ nie je uvedené inak)

Súbor Parameter Hodnota Jednotka Podmienky testovania Poznámka
Min. Typ. Max, čo sa deje?
VSD Predná diódová elektrická súčasť 4.9 V ISD =80A, VGS =0V Obr.10- 12
4.5 V ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr Čas opačného obnovenia 17.4 nS VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH

Qrr

Náboj opačného obnovenia 1095 nC
IRRM Maximálny vrcholný prúd opačného obnovenia 114 A


Charakteristiky NTC termistoru

Súbor Parameter Hodnota Jednotka Podmienky testovania Poznámka
Min. Typ. Max, čo sa deje?
RNTC Nominálny odpor 5 TNTC =25℃ Obr.27
δR/R Tolerancia odporu pri 25℃ -5 5 %
β25/50 Beta hodnota 3380 K ±1%
Pmax Spotreba energie 5 mW


Typické vlastnosti (krivky)

image


image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

         image


Rozmery obalu (mm)

image

SÚVISIACI PRODUKT