Сик мосфет

1200В 40мΩ ГЕН2 Мосфет за аутомобиле

Uvod

Место порекла:	Шангај
Име бренда:	Технологија инвентирања чипова
Број модела:	IV2Q12040Т4З
Сертификација:	АЕЦ-КВ101

Karakteristike

2^ндТехнологија генерације СиЦ МОСФЕТ са
+15~+18В вожња капије
Високи блокирајући напон са малим отпорним напајањем
Високобрза превлачење са малим капацитанце
квалитет за температуру оперативне зглобове 175°C
Ултра брза и снажна унутрашња диода тела
Дизајн Келвинског улазног диривера за олакшавање улазничког улазничког кола
Квалификовано за AEC-Q101

Primene

Наплатионици и ОБЦ-ови за ЕВ
Соларни појачачи
Инвертори за компресоре за аутомобиле
АЦ/ДЦ напајање

Облик:

Дијаграм ознаке:

Апсолутна максимална рејтингова (ТЦ=25°C, осим ако није другачије наведено)

Симбол	Параметри	Вредност	Jedinica	Услови испитивања	Примена
ВДС	Напетост извора одвођења	1200	V	ВГС = 0В, ИД = 100μА
Уколико је потребно, уколико је потребно, уколико је потребно, уколико је потребно, уколико је потребно, уколико је потребно, уколико је потребно, уколико је потребно, уколико је потребно, уколико је потребно.	Максимално транзитивно напонство	- од 10 до 23	V	Површни циклус < 1% и ширина импулса < 200ns
ВГСон	Препоручује се напон за укључивање	15 до 18	V
ВГСофф	Препоручено избацивање напона	-5 до -2	V	Типично -3.5В
ID	Проток одвођења (непрекидан)	65	A	ВГС = 18В, ТЦ = 25°С	Слика 23.
ID	Проток одвођења (непрекидан)	48	A	ВГС = 18В, ТЦ = 100°С	Слика 23.
ИДМ	Излазни ток (пулсиран)	162	A	Ширина импулса ограничена SOA и динамичком Rθ(J-C	Слика 25, 26
ИСМ	Тело диоде струја (пулсирана)	162	A	Ширина импулса ограничена SOA и динамичком Rθ(J-C	Слика 25, 26
ПТОТ	Укупна распадња снаге	375	Š	ТЦ = 25°C	Слика 24
Тстг	Размај температуре складиштења	-55 до 175	°c
ТЈ	Тренутна температура зглобова	-55 до 175	°c
TL	Температура лемења	260	°c	вална лемљење дозвољено само на води, 1,6 мм од случаја за 10 с

Термички подаци

Симбол	Параметри	Вредност	Jedinica	Примена
Rθ ((J-C)	Термичка отпорност од спојника до корпуса	0.4	°С/В	Слика 25.

Електричке карактеристике (TC = 25、C, осим ако није другачије наведено)

Симбол	Параметри	Вредност			Jedinica	Услови испитивања	Примена
Симбол	Параметри	Мино.	Тип.	Макс. -Макс.	Jedinica	Услови испитивања	Примена
ИДСС	Нулна улазна напона одвођења струје		5	100	мА	Уколико је потребно, додајте:
ИГСС	Ток пропуста капи			±100	нА	Уколико је потребно, додајте:
ВТХ	Порожни напон ка капије	1.8	2.8	4.5	V	ВГС = ВДС, ИД = 9мА	Слика 8, 9
ВТХ	Порожни напон ка капије		2.1			ВГС = ВДС, ИД = 9мА @ ТД = 175。С	Слика 8, 9
Gvožđe	Статички извор одвода укључен - отпор		40	52	mΩ	Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.	Слика 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.
			50	65	mΩ	Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.
			80		mΩ	Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.
Цис	Улазни капацитанс		2160		пФ	Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.	Слика 16
Кос	Излазни капацитанс		100		пФ
Црсс	Реверзни преносни капацитанс		5.8		пФ
Еос	Цос складиштена енергија		40		мДЖ		Слика 17
Главни центар	Укупна накнада за улазак		110		nC	Уколико је потребно, додајте да је у складу са одредбама из 1.	Слика 18
Кгс	Наплата за извор капије		25		nC
Кгд	Задатак за отпадницу капије		59		nC
РГ	Отпор улазних капија		2.1		о	f=1МХЗ
ЕОН	Енергија за укључивање		446.3		мДЖ	ВДС = 800В, ИД = 30А, ВГС = -3,5 до 18В, РГ ((ext) = 3,3Ω, Л=200μХ ТД = 25。С	Слика 19, 20
ЕОФФ	Енергија за прекидање при искључивању		70.0		мДЖ
тд (о)	Време кашњења укључивања		9.6		n
tr	Време подизања		22.1
тд (остављено)	Време одлагања искључења		19.3
тф	Време пада		10.5
ЕОН	Енергија за укључивање		644.4		мДЖ	ВДС = 800В, ИД = 30А, ВГС = -3,5 до 18В, РГ ((ext) = 3,3Ω,Л=200μХ ТД = 175。С	Слика 22
ЕОФФ	Енергија за прекидање при искључивању		73.8		мДЖ		Слика 22

Карактеристике реверзне диоде (TC = 25、C, осим ако није другачије наведено)

Симбол	Параметри	Вредност			Jedinica	Услови испитивања	Примена
Симбол	Параметри	Мино.	Тип.	Макс. -Макс.	Jedinica	Услови испитивања	Примена
ВСД	Диодско напречење напред		4.2		V	ISD = 20A, VGS = 0V	Слика 10, 11, 12
ВСД	Диодско напречење напред		4.0		V	ISD = 20A, VGS = 0V, TJ = 175 ◦C	Слика 10, 11, 12
IS	Диодска испредна струја (непрекидна)			63	A	Уколико је потребно, додајте:
IS	Диодска испредна струја (непрекидна)			36	A	ВГС = -2В, ТЦ=100。С
тр	Времена повратка опоравка		42.0		n	ВГС=-3.5В/+18В, ИСД =30А, ВР =800В, РГ(екст) =10Ω Л=200μХ ди/дт=3000А/μс
КВРР	Наплата за обнављање		198.1		nC
ИРРМ	Пик реверзне рекуперације струје		17.4		A