1700V 1000mΩ SiC MOSFET Güneş Enerjisi Tersine Çeviriciler

Menşei Yeri:	Zhejiang
Marka Adı:	Inventchip Technology
Model Numarası:	IV2Q171R0D7Z
Belgelendirme:	AEC-Q101 uygun

Özellikler

• 2. Nesi SiC MOSFET Teknolojisi +15~+18V kapı sürdürücüsü

• Yüksek blokaj voltajı ile düşük açık direnç

• Düşük kapasitansla yüksek hızda anahtarlama

• 175℃ çalışma birleşik sıcaklık kapasitesi

• Üst düzey hızlı ve dayanıklı içsel gövde diodu

• Sürücü devre tasarımı kolaylaştıran Kelvin gate girişi

• AEC-Q101 uygun

Uygulamalar

• Güneş inverterleri

• Yardımcı güç kaynakları

• Değişim Modu Güç Kaynakları

• Akıllı sayacılar

Taslak:

 

İşaretlemeye Ait Şema:

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Test koşulları	Not
VDS	Drain-Source gerilimi	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Geçiş)	Maksimum pike gerilimi	-10 ila 23	V	Duty cycle <1%, ve pulse width<200ns
VGSon	Önerilen açma gerilimi	15 to 18	V
VGSoff	Önerilen kapanma gerilimi	-5 to -2	V	Tipik değer -3.5V
ID	Drain akımı (sürekli)	6.3	Bir	VGS =18V, TC =25°C	Şek. 23
		4.8	Bir	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Dren akımı (puls)	15.7	Bir	Pul uzunluğu SOA ve dinamik Rθ(J-C) tarafından sınırlıdır	Şek. 25, 26
ISM	Vücut diyod akımı (puls)	15.7	Bir	Pul uzunluğu SOA ve dinamik Rθ(J-C) tarafından sınırlıdır	Şek. 25, 26
Ptot	Toplam güç dağılımı	73	G	TC =25°C	Şek. 24
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-55 ile 175	°C
Tj	Çalışma birleşim sıcaklığı	-55 ile 175	°C

Termal veriler

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Not
Rθ(J-C)	Birleşimden Kasa'ya Termal Direnç	2.05	°C/W	Şek. 25

Elektriksel Özellikler (TC =25°C belirtilen aksi halde)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
IDSS	Sıfır kapı gerilimi dren akımı		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Kapı sızıntı akımı			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Kapı eşik voltajı	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Şek. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
Demir	Statik drain-kaynak açık direnci		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Şek. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Girdi Kapasitesi		285		pF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Şek. 16
Coss	Çıkış Kapasitesi		15.3		pF
Crss	Ters transfer kapasitansı		2.2		pF
Eoss	Coss depolanan enerji		11		μJ		Şek. 17
Genel Merkezi	Toplam kapı şarjı		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 to 18V	Şek. 18
Qgs	Kapı-kesen yük		2.7		nC
Qgd	Kapı-drain yükü		12.5		nC
Rg	Kapı giriş direnci		13		ω	f=1MHz
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V ila 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Şek. 19, 20
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		17.0		μJ
td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		4.8		ns
tr	Kalkma zamanı.		13.2
td ((off)	Kapatma gecikme süresi		12.0
tF	Sonbahar zamanı		66.8
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V ila 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Şek. 22

Ters Diode Özellikleri (TC =25。C belirtilen aksi takdirde)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
VSD	Diyot ileri voltajı		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Şek. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
IS	Diode ileri akımı (sürekli)			11.8	Bir	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	Bir	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Ters İyileşme Süresi		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Ters İyileşme Yükü		54.2		nC
IRRM	Zirve tersi kurtarma akımı		8.2		Bir

Tipik Performans (eğriler)

 

Paket Boyutları

Not:

1. Paket Başvurusu: JEDEC TO263, Varyasyon AD

2. Tüm boyutlar mm'de verilmiştir

3. Bildirilmeksizin Değişebilir