1700V 1000mΩ SiC MOSFET Güneş Enerjisi Tersine Çeviriciler

Üretim Yeri:	Zhejiang
Marka Adı:	Inventchip Technology
Model Numarası:	IV2Q171R0D7Z
Sertifikasyon:	AEC-Q101 uygun

Özellikler

• 2. Nesi SiC MOSFET Teknolojisi +15~+18V kapı sürdürücüsü

• Yüksek blokaj voltajı ile düşük açık direnç

• Düşük kapasitansla yüksek hızda anahtarlama

• 175℃ çalışma birleşik sıcaklık kapasitesi

• Üst düzey hızlı ve dayanıklı içsel gövde diodu

• Sürücü devre tasarımı kolaylaştıran Kelvin gate girişi

• AEC-Q101 uygun

Uygulamalar

• Güneş inverterleri

• Yardımcı güç kaynakları

• Değişim Modu Güç Kaynakları

• Akıllı sayacılar

Taslak:

 

İşaretlemeye Ait Şema:

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Test koşulları	Not
VDS	Drain-Source gerilimi	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Geçiş)	Maksimum pike gerilimi	-10 ila 23	V	Duty cycle <1%, ve pulse width<200ns
VGSon	Önerilen açma gerilimi	15 to 18	V
VGSoff	Önerilen kapanma gerilimi	-5 to -2	V	Tipik değer -3.5V
Kimlik	Drain akımı (sürekli)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Şek. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Dren akımı (puls)	15.7	A	Pul uzunluğu SOA ve dinamik Rθ(J-C) tarafından sınırlıdır	Şek. 25, 26
ISM	Vücut diyod akımı (puls)	15.7	A	Pul uzunluğu SOA ve dinamik Rθ(J-C) tarafından sınırlıdır	Şek. 25, 26
Ptot	Toplam güç dağılımı	73	W	TC =25°C	Şek. 24
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-55 ile 175	°C
Tj	Çalışma birleşim sıcaklığı	-55 ile 175	°C

Termal veriler

Sembolik	Parametre	Değer	Birim	Not
Rθ(J-C)	Birleşimden Kasa'ya Termal Direnç	2.05	°C/W	Şek. 25

Elektriksel Özellikler (TC =25°C belirtilen aksi halde)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
IDSS	Sıfır kapı gerilimi dren akımı		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Kapı sızıntı akımı			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Kapı eşik voltajı	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Şek. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
Ron	Statik drain-kaynak açık direnci		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Şek. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Girdi Kapasitesi		285		pF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Şek. 16
Coss	Çıkış Kapasitesi		15.3		pF
Crss	Ters transfer kapasitansı		2.2		pF
Eoss	Coss depolanan enerji		11		μJ		Şek. 17
Genel Merkezi	Toplam kapı şarjı		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 to 18V	Şek. 18
Qgs	Kapı-kesen yük		2.7		nC
Qgd	Kapı-drain yükü		12.5		nC
Rg	Kapı giriş direnci		13		ω	f=1MHz
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V ila 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Şek. 19, 20
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		17.0		μJ
td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		4.8		ns
- Evet.	Kalkma zamanı.		13.2
td ((off)	Kapatma gecikme süresi		12.0
tF	Sonbahar zamanı		66.8
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V ila 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Şek. 22

Ters Diode Özellikleri (TC =25。C belirtilen aksi takdirde)

Sembolik	Parametre	Değer			Birim	Test koşulları	Not
		Min.	Tipik.	Max.
VSD	Diyot ileri voltajı		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Şek. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
IS	Diode ileri akımı (sürekli)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Ters İyileşme Süresi		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Ters İyileşme Yükü		54.2		nC
IRRM	Zirve tersi kurtarma akımı		8.2		A

Tipik Performans (eğriler)

 

Paket Boyutları

Not:

1. Paket Başvurusu: JEDEC TO263, Varyasyon AD

2. Tüm boyutlar mm'de verilmiştir

3. Bildirilmeksizin Değişebilir